FF600R17ME4BOSA1, IGBT, MODULE, N-CH, 1.7KV, 950A
![FF600R17ME4BOSA1, IGBT, MODULE, N-CH, 1.7KV, 950A](https://static.chipdip.ru/lib/405/DOC004405305.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
98 690 руб.
от 5 шт. —
90 400 руб.
1 шт.
на сумму 98 690 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули
Технические параметры
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.95В |
Collector Emitter Voltage Max | 1.7кВ |
Continuous Collector Current | 950А |
DC Ток Коллектора | 950А |
Выводы БТИЗ | Press Fit |
Конфигурация БТИЗ | Dual |
Линейка Продукции | EconoDUAL 3 |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Максимальная Температура Перехода Tj | 150°C |
Монтаж транзистора | Panel |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.7кВ |
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.95В |
Полярность Транзистора | N Канал |
Стиль Корпуса Транзистора | Module |
Технология БТИЗ | IGBT 4(Trench/Field Stop) |
Вес, г | 406.4 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 537 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов