FF600R17ME4BOSA1, IGBT, MODULE, N-CH, 1.7KV, 950A

FF600R17ME4BOSA1, IGBT, MODULE, N-CH, 1.7KV, 950A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
98 690 руб.
от 5 шт.90 400 руб.
1 шт. на сумму 98 690 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8250500224
Артикул: FF600R17ME4BOSA1

Описание

Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули

Технические параметры

Collector Emitter Saturation Voltage 1.95В
Collector Emitter Voltage Max 1.7кВ
Continuous Collector Current 950А
DC Ток Коллектора 950А
Выводы БТИЗ Press Fit
Конфигурация БТИЗ Dual
Линейка Продукции EconoDUAL 3
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Максимальная Температура Перехода Tj 150°C
Монтаж транзистора Panel
Напряжение Коллектор-Эмиттер 1.7кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) 1.95В
Полярность Транзистора N Канал
Стиль Корпуса Транзистора Module
Технология БТИЗ IGBT 4(Trench/Field Stop)
Вес, г 406.4

Техническая документация

Datasheet
pdf, 537 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов