FF650R17IE4DB2BOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual, 930 А, 2 В, 4.15 кВт, 150 °C, Module
![FF650R17IE4DB2BOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual, 930 А, 2 В, 4.15 кВт, 150 °C, Module](https://static.chipdip.ru/lib/514/DOC036514835.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
103 800 руб.
1 шт.
на сумму 103 800 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули
• Extended operation temperature Tvj op, high DC stability
• High current density, low switching losses
• Enlarged diode for regenerative operation, low VCEsat
• High creepage and clearance distances
• High power and thermal cycling capability
• High power density, copper base plate
• 930A continuous DC collector current (TC = 25°C, Tvj max = 175°C)
• 5.8V typical gate threshold voltage (IC = 24.0mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C)
• 2.3ohm typical internal gate resistor (Tvj = 25°C)
• Temperature range from -40 to +150°C (under switching conditions)
Технические параметры
Collector Emitter Saturation Voltage | 2В |
Collector Emitter Voltage Max | 1.7кВ |
Continuous Collector Current | 930А |
DC Ток Коллектора | 650А |
Power Dissipation | 4.15кВт |
Выводы БТИЗ | Tab |
Количество Выводов | 10вывод(-ов) |
Конфигурация БТИЗ | Dual |
Линейка Продукции | PrimePACK 2 Series |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Максимальная Температура Перехода Tj | 150°C |
Монтаж транзистора | Panel |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.7кВ |
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 2В |
Полярность Транзистора | N Канал |
Рассеиваемая Мощность | 4.15кВт |
Стиль Корпуса Транзистора | Module |
Технология БТИЗ | IGBT 4 |
Вес, г | 825 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1992 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов