FGAF40N60UFTU, БТИЗ транзистор, универсальный, 40 А, 6.5 В, 100 Вт, 600 В, TO-3PF, 3 вывод(-ов)
![Фото 1/2 FGAF40N60UFTU, БТИЗ транзистор, универсальный, 40 А, 6.5 В, 100 Вт, 600 В, TO-3PF, 3 вывод(-ов)](https://static.chipdip.ru/lib/445/DOC023445620.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/467/DOC029467535.jpg)
860 руб.
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
от 10 шт. —
750 руб.
3 шт.
на сумму 2 580 руб.
Плати частями
от 645 руб. × 4 платежа
от 645 руб. × 4 платежа
Описание
Полупроводники - Дискретные\IGBTs\БТИЗ Одиночные
Решения для управления питанием в облаке Решения для управления питанием в облаке onsemi повышают эффективность, упрощая конструкцию системы, уменьшая пространство на плате, повышая надежность и ускоряя вывод на рынок. Поскольку к 2030 году мировой спрос на энергию вырастет на 35–40%, онполу обеспечивает основные промышленные продукты низкой эффективностью, чтобы экономить энергию, которую мы используем каждый день.
Технические параметры
Brand: | onsemi/Fairchild |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 600 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 3.1 V |
Configuration: | Single |
Continuous Collector Current at 25 C: | 40 A |
Continuous Collector Current Ic Max: | 40 A |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 30 |
Gate-Emitter Leakage Current: | 100 nA |
Manufacturer: | onsemi |
Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, +20 V |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Package / Case: | TO-3PF-3 |
Packaging: | Tube |
Part # Aliases: | FGAF40N60UFTU_NL |
Pd - Power Dissipation: | 100 W |
Product Category: | IGBT Transistors |
Product Type: | IGBT Transistors |
Series: | FGAF40N60UF |
Subcategory: | IGBTs |
Technology: | Si |
Channel Type | N |
Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V |
Maximum Continuous Collector Current | 40 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 100 W |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Through Hole |
Package Type | TO-3PF |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Вес, г | 6 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов