FGAF40S65AQ, БТИЗ транзистор, 80 А, 1.6 В, 94 Вт, 650 В, TO-3PF, 3 вывод(-ов)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
850 руб.
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
от 10 шт. —
760 руб.
от 100 шт. —
597 руб.
3 шт.
на сумму 2 550 руб.
Плати частями
от 639 руб. × 4 платежа
от 639 руб. × 4 платежа
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Одиночные
Using novel field stop IGBT technology, ON semiconductor’s new series of field stop 4th generation of RC IGBTs offer the optimum performance for converter PFC stage of consummer and industrial applications.
Технические параметры
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.6В |
| Collector Emitter Voltage Max | 650В |
| Continuous Collector Current | 80А |
| Power Dissipation | 94Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-3PF |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Channel Type | N |
| Energy Rating | 325mJ |
| Gate Capacitance | 2590pF |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 80 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 94 W |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Transistors | 1 |
| Package Type | TO-3PF |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Brand: | onsemi |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 650 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.6 V |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 80 A |
| Continuous Collector Current Ic Max: | 80 A |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 30 |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 400 nA |
| Manufacturer: | onsemi |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-3PF-3 |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 94 W |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Subcategory: | IGBTs |
| Technology: | Si |
| Вес, г | 6 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 482 КБ
Datasheet FGAF40S65AQ
pdf, 685 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
