FGH40N60SFDTU, Транзистор, IGBT 600В 40А, [TO-247]
![Фото 1/9 FGH40N60SFDTU, Транзистор, IGBT 600В 40А, [TO-247]](https://static.chipdip.ru/lib/307/DOC005307894.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/921/DOC002921185.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/179/DOC007179527.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/959/DOC028959609.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/915/DOC010915349.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/514/DOC028514237.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/514/DOC028514241.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/012/DOC038012423.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/806/DOC043806614.jpg)
830 руб.
от 15 шт. —
779 руб.
1 шт.
на сумму 830 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching.
Технические параметры
Технология/семейство | Field Stop | |
Наличие встроенного диода | Да | |
Максимальное напряжение КЭ ,В | 600 | |
Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 80 | |
Импульсный ток коллектора (Icm), А | 120 | |
Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.9 | |
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 290 | |
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 25 | |
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 115 | |
Рабочая температура (Tj), °C | -55…+150 | |
Корпус | TO-247-3LD | |
Вес, г | 7.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 435 КБ
Документация
pdf, 808 КБ
Datasheet FGH40N60SFD
pdf, 806 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов