FP100R06KE3BOSA1, IGBT, MODULE, N-CH, 600V, 50A

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

29 070 руб.

от 5 шт. — 26 470 руб.

от 10 шт. — 24 080 руб.

1 шт. на сумму 29 070 руб.

Плати частями
от 7 269 руб. × 4 платежа

Номенклатурный номер: 8417199284

Артикул: FP100R06KE3BOSA1

Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули

The Infineon IGBT module has with fast Trench and Field stop IGBT3, emitter controlled 3 diode and NTC.

Collector Emitter Saturation Voltage	1.45В
Collector Emitter Voltage Max	600В
Continuous Collector Current	100А
DC Ток Коллектора	100А
Power Dissipation	335Вт
Выводы БТИЗ	Press Fit
Конфигурация БТИЗ	PIM Three Phase Input Rectifier
Линейка Продукции	EconoPIM 3
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Максимальная Температура Перехода Tj	150°C
Монтаж транзистора	Panel
Напряжение Коллектор-Эмиттер	600В
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)	1.45В
Полярность Транзистора	N Канал
Рассеиваемая Мощность	335Вт
Стиль Корпуса Транзистора	Module
Технология БТИЗ	IGBT 3(Trench/Field Stop)
Maximum Collector Emitter Voltage	600 V
Maximum Continuous Collector Current	100 A
Maximum Gate Emitter Voltage	+/-20V
Maximum Power Dissipation	335 W
Mounting Type	Panel Mount
Package Type	Module
Вес, г	0.31

pdf, 623 КБ

Мы рекомендуем