FP15R12W1T4BOMA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, PIM Three Phase Input Rectifier, 28 А, 1.85 В, 130 Вт, 150 °C

FP15R12W1T4BOMA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, PIM Three Phase Input Rectifier, 28 А, 1.85 В, 130 Вт, 150 °C
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
9 150 руб.
от 5 шт.8 630 руб.
от 10 шт.8 010 руб.
1 шт. на сумму 9 150 руб.
Плати частями
от 2 289 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8275947907
Артикул: FP15R12W1T4BOMA1

Описание

The infineon IGBT module is suitable for auxiliary inverters, motor drives and air conditioning etc.

Технические параметры

Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V
Maximum Continuous Collector Current 28 A
Maximum Gate Emitter Voltage +/-20V
Maximum Power Dissipation 130 W
Number of Transistors 7
Вес, г 0.2

Техническая документация

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов