FP15R12W1T4BOMA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, PIM Three Phase Input Rectifier, 28 А, 1.85 В, 130 Вт, 150 °C
![FP15R12W1T4BOMA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, PIM Three Phase Input Rectifier, 28 А, 1.85 В, 130 Вт, 150 °C](https://static.chipdip.ru/lib/982/DOC037982127.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
9 150 руб.
от 5 шт. —
8 630 руб.
от 10 шт. —
8 010 руб.
1 шт.
на сумму 9 150 руб.
Плати частями
от 2 289 руб. × 4 платежа
от 2 289 руб. × 4 платежа
Описание
The infineon IGBT module is suitable for auxiliary inverters, motor drives and air conditioning etc.
Технические параметры
Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
Maximum Continuous Collector Current | 28 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | +/-20V |
Maximum Power Dissipation | 130 W |
Number of Transistors | 7 |
Вес, г | 0.2 |
Техническая документация
Datasheet FP15R12W1T4BOMA1
pdf, 955 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов