FP30R06KE3BPSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, PIM, 37 А, 1.55 В, 125 Вт, 175 °C, Module
![Фото 1/2 FP30R06KE3BPSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, PIM, 37 А, 1.55 В, 125 Вт, 175 °C, Module](https://static.chipdip.ru/lib/336/DOC013336008.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/036/DOC045036882.jpg)
20 330 руб.
от 5 шт. —
18 420 руб.
от 10 шт. —
17 700 руб.
1 шт.
на сумму 20 330 руб.
Плати частями
от 5 084 руб. × 4 платежа
от 5 084 руб. × 4 платежа
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули
SP005422340, FP30R06KE3
Технические параметры
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.55В |
Collector Emitter Voltage Max | 600В |
Continuous Collector Current | 37А |
DC Ток Коллектора | 37А |
Power Dissipation | 125Вт |
Выводы БТИЗ | Solder |
Конфигурация БТИЗ | PIM |
Линейка Продукции | EconoPIM 2 |
Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
Максимальная Температура Перехода Tj | 175 C |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 600В |
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.55В |
Рассеиваемая Мощность | 125Вт |
Стиль Корпуса Транзистора | Module |
Технология БТИЗ | IGBT 3(Trench/Field Stop) |
Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
Package Type | AG-ECONO2C-311 |
Вес, г | 462.7 |
Техническая документация
Datasheet FP30R06KE3BOSA1
pdf, 642 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов