FP30R06KE3BPSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, PIM, 37 А, 1.55 В, 125 Вт, 175 °C, Module

Фото 1/2 FP30R06KE3BPSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, PIM, 37 А, 1.55 В, 125 Вт, 175 °C, Module
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
20 330 руб.
от 5 шт.18 420 руб.
от 10 шт.17 700 руб.
1 шт. на сумму 20 330 руб.
Плати частями
от 5 084 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8009198589
Артикул: FP30R06KE3BPSA1

Описание

Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули

SP005422340, FP30R06KE3

Технические параметры

Collector Emitter Saturation Voltage 1.55В
Collector Emitter Voltage Max 600В
Continuous Collector Current 37А
DC Ток Коллектора 37А
Power Dissipation 125Вт
Выводы БТИЗ Solder
Конфигурация БТИЗ PIM
Линейка Продукции EconoPIM 2
Максимальная Рабочая Температура 175 C
Максимальная Температура Перехода Tj 175 C
Напряжение Коллектор-Эмиттер 600В
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) 1.55В
Рассеиваемая Мощность 125Вт
Стиль Корпуса Транзистора Module
Технология БТИЗ IGBT 3(Trench/Field Stop)
Maximum Collector Emitter Voltage 600 V
Maximum Gate Emitter Voltage ±20V
Package Type AG-ECONO2C-311
Вес, г 462.7

Техническая документация

Datasheet FP30R06KE3BOSA1
pdf, 642 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов