FP35R12N2T7B11BPSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, PIM Three Phase Input Rectifier, 35 А, 1.6 В, 175 °C, Module
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
19 610 руб.
от 5 шт. —
17 930 руб.
от 10 шт. —
17 380 руб.
1 шт.
на сумму 19 610 руб.
Плати частями
от 4 904 руб. × 4 платежа
от 4 904 руб. × 4 платежа
Описание
Полупроводники - Дискретные\IGBTs\БТИЗ Массивы и Модули
The Infineon's EconoPIM 2, 35 A three phase PIM IGBT module comes with TRENCHSTOP IGBT7, Emitter Controlled 7 diode, NTC and PressFIT contact technology.
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Configuration | 3 Phase |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 35 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Power Dissipation | 20 mW |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Number of Transistors | 7 |
| Package Type | Module |
| Pin Count | 23 |
| Transistor Configuration | 3 Phase |
| Вес, г | 323 |
Техническая документация
Datasheet FP35R12N2T7B11BPSA1
pdf, 643 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
