FP50R07N2E4BPSA1, IGBT MODULE, 650V, 70A, PIM

FP50R07N2E4BPSA1, IGBT MODULE, 650V, 70A, PIM
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
22 370 руб.
от 5 шт.20 840 руб.
от 10 шт.19 360 руб.
1 шт. на сумму 22 370 руб.
Плати частями
от 5 594 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8009277788
Артикул: FP50R07N2E4BPSA1

Описание

Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули

Технические параметры

Collector Emitter Saturation Voltage 1.55В
Collector Emitter Voltage Max 650В
Continuous Collector Current 70А
DC Ток Коллектора 70А
Выводы БТИЗ Solder
Конфигурация БТИЗ PIM Three Phase Input Rectifier
Линейка Продукции EconoPIM 2
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Максимальная Температура Перехода Tj 150°C
Монтаж транзистора Panel
Напряжение Коллектор-Эмиттер 650В
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) 1.55В
Стиль Корпуса Транзистора Module
Технология БТИЗ IGBT 4(Trench/Field Stop)
Вес, г 462.7

Техническая документация

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов