FP50R12N2T7B11BPSA1, IGBT MODULE, 1.2KV, 50A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
25 750 руб.
от 5 шт. —
23 990 руб.
от 10 шт. —
22 280 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 25 750 руб.
Плати частями
от 6 439 руб. × 4 платежа
от 6 439 руб. × 4 платежа
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули
The Infineon's EconoPIM 2, 50 A three phase PIM IGBT module comes with TRENCHSTOP IGBT7, Emitter Controlled 7 diode, NTC and PressFIT contact technology.
Технические параметры
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.5В |
| Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
| Continuous Collector Current | 50А |
| DC Ток Коллектора | 50А |
| Выводы БТИЗ | Press Fit |
| Конфигурация БТИЗ | PIM Three Phase Input Rectifier |
| Линейка Продукции | TRENCHSTOP EconoPIM 2 |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Максимальная Температура Перехода Tj | 175°C |
| Монтаж транзистора | Panel |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.2кВ |
| Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.5В |
| Стиль Корпуса Транзистора | Module |
| Технология БТИЗ | IGBT7-T7(Trench Stop) |
| Channel Type | N |
| Configuration | 3 Phase |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 50 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Power Dissipation | 20 mW |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Number of Transistors | 7 |
| Package Type | Module |
| Pin Count | 23 |
| Transistor Configuration | 3 Phase |
| Вес, г | 323 |
Техническая документация
Datasheet FP50R12N2T7B11BPSA1
pdf, 638 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
