FP75R12N2T4BOSA1, IGBT MODULE, 1.2KV, 75A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
35 030 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 35 030 руб.
Плати частями
от 8 759 руб. × 4 платежа
от 8 759 руб. × 4 платежа
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули
Технические параметры
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.85В |
| Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
| Continuous Collector Current | 75А |
| DC Ток Коллектора | 75А |
| Выводы БТИЗ | Solder |
| Конфигурация БТИЗ | PIM Three Phase Input Rectifier |
| Линейка Продукции | EconoPIM 2 |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальная Температура Перехода Tj | 150°C |
| Монтаж транзистора | Panel |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.2кВ |
| Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.85В |
| Стиль Корпуса Транзистора | EconoPIM |
| Технология БТИЗ | IGBT 4(Trench/Field Stop) |
| Base Product Number | FP75R12 -> |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Package | Tray |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Вес, г | 100 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
