FP75R12N2T7BPSA1, IGBT MODULE, 1.2KV, 75A

FP75R12N2T7BPSA1, IGBT MODULE, 1.2KV, 75A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
28 920 руб.
от 5 шт.26 710 руб.
от 10 шт.24 550 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 28 920 руб.
Плати частями
от 7 230 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8009528342
Артикул: FP75R12N2T7BPSA1

Описание

Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули

Технические параметры

Collector Emitter Saturation Voltage 1.55В
Collector Emitter Voltage Max 1.2кВ
Continuous Collector Current 75А
DC Ток Коллектора 75А
Выводы БТИЗ Solder
Конфигурация БТИЗ PIM Three Phase Input Rectifier
Линейка Продукции TRENCHSTOP EconoPIM 2
Максимальная Рабочая Температура 175°C
Максимальная Температура Перехода Tj 175°C
Монтаж транзистора Panel
Напряжение Коллектор-Эмиттер 1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) 1.55В
Стиль Корпуса Транзистора Module
Технология БТИЗ IGBT7-T7(Trench Stop)
Вес, г 323

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов