FP75R12N2T7BPSA1, IGBT MODULE, 1.2KV, 75A
![FP75R12N2T7BPSA1, IGBT MODULE, 1.2KV, 75A](https://static.chipdip.ru/lib/851/DOC042851098.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
28 920 руб.
от 5 шт. —
26 710 руб.
от 10 шт. —
24 550 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 28 920 руб.
Плати частями
от 7 230 руб. × 4 платежа
от 7 230 руб. × 4 платежа
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули
Технические параметры
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.55В |
Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
Continuous Collector Current | 75А |
DC Ток Коллектора | 75А |
Выводы БТИЗ | Solder |
Конфигурация БТИЗ | PIM Three Phase Input Rectifier |
Линейка Продукции | TRENCHSTOP EconoPIM 2 |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Максимальная Температура Перехода Tj | 175°C |
Монтаж транзистора | Panel |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.2кВ |
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.55В |
Стиль Корпуса Транзистора | Module |
Технология БТИЗ | IGBT7-T7(Trench Stop) |
Вес, г | 323 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов