FQA11N90C-F109, Транзистор, QFET, N-канал, 900В, 11А [TO-3PN]
![Фото 1/3 FQA11N90C-F109, Транзистор, QFET, N-канал, 900В, 11А [TO-3PN]](https://static.chipdip.ru/lib/426/DOC005426403.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/560/DOC044560091.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/460/DOC004460020.jpg)
1 100 руб.
от 15 шт. —
1 050 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 100 руб.
Плати частями
от 275 руб. × 4 платежа
от 275 руб. × 4 платежа
Описание
Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 900В, 6,9А, 300Вт, TO3PN, QFET® Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 900 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 11 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.1 Ом/5.5А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 300 | |
Корпус | to-3pn | |
Вес, г | 6.5 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов