Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ON Semiconductor › FQD19N10LTM, Транзистор N-CH 100V 15.6A, [D-PAK]

FQD19N10LTM, Транзистор N-CH 100V 15.6A, [D-PAK]

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

98 руб.

от 15 шт. — 73 руб.

1 шт. на сумму 98 руб.

Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа

Номенклатурный номер: 9000316752

Артикул: FQD19N10LTM

Бренд: ON Semiconductor***

Описание

Fairchild Semiconductor’s new QFET® planar MOSFETs use advanced, proprietary technology to offer best-in-class operating performance for a wide range of applications, including power supplies, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Display Panels (PDP), lighting ballasts, and motion control.

Технические параметры

Структура	N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	15.6
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.1 Ом/7.8А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	2.5
Крутизна характеристики, S	14
Корпус	DPAK(2 Leads+Tab)
Вес, г	0.4