FQD3N60CTM-WS, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 600 В, 2.4 А, 2.8 Ом, TO-252 (DPAK), Surface Mount

FQD3N60CTM-WS, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 600 В, 2.4 А, 2.8 Ом, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
340 руб.
Мин. кол-во для заказа 8 шт.
от 10 шт.300 руб.
от 100 шт.224 руб.
8 шт. на сумму 2 720 руб.
Плати частями
от 680 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8001631193
Артикул: FQD3N60CTM-WS

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

Технические параметры

Channel Type N Channel
Drain Source On State Resistance 2.8Ом
Power Dissipation 50Вт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Линейка Продукции QFET
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Монтаж транзистора Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Напряжение Истока-стока Vds 600В
Непрерывный Ток Стока 2.4А
Полярность Транзистора N Канал
Пороговое Напряжение Vgs
Рассеиваемая Мощность 50Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 2.8Ом
Стиль Корпуса Транзистора TO-252(DPAK)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Вес, г 0.5

Техническая документация

Datasheet FQD3N60CTM-WS
pdf, 954 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов