FQD8P10TM_F085, Транзистор

Фото 1/2 FQD8P10TM_F085, Транзистор
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
180 руб.
от 5 шт.151 руб.
1 шт. на сумму 180 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 9000825957
Артикул: FQD8P10TM_F085

Описание

Решения для управления питанием в облаке
Решения для управления питанием в облаке onsemi повышают эффективность, упрощая конструкцию системы, уменьшая пространство на плате, повышая надежность и ускоряя вывод на рынок. Поскольку к 2030 году мировой спрос на энергию вырастет на 35–40%, онполу обеспечивает основные промышленные продукты низкой эффективностью, чтобы экономить энергию, которую мы используем каждый день.

Технические параметры

Channel Type P Channel
Drain Source On State Resistance 0.41Ом
Power Dissipation 44Вт
Квалификация AEC-Q101
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Монтаж транзистора Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Напряжение Истока-стока Vds 100В
Непрерывный Ток Стока 6.6А
Полярность Транзистора P Канал
Пороговое Напряжение Vgs
Рассеиваемая Мощность 44Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.41Ом
Стандарты Автомобильной Промышленности AEC-Q101
Стиль Корпуса Транзистора TO-252(DPAK)
Вес, г 0.4

Техническая документация

Datasheet
pdf, 761 КБ
Datasheet FQD8P10TM-F085
pdf, 673 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов