FQP27P06, Транзистор, QFET, P-канал, 60В, 27А [TO-220]
![Фото 1/6 FQP27P06, Транзистор, QFET, P-канал, 60В, 27А [TO-220]](https://static.chipdip.ru/lib/213/DOC001213546.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
290 руб.
от 15 шт. —
268 руб.
1 шт.
на сумму 290 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Fairchild Semiconductor’s new QFET® planar MOSFETs use advanced, proprietary technology to offer best-in-class operating performance for a wide range of applications, including power supplies, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Display Panels (PDP), lighting ballasts, and motion control.
Технические параметры
| Структура | P-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 27 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±25 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.07 Ом/13.5А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 120 | |
| Крутизна характеристики, S | 12.4 | |
| Корпус | to-220 | |
| Пороговое напряжение на затворе | -4 | |
| Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
