FQPF10N60C, Транзистор, N-канал 600В 9.5А [TO-220F]
![Фото 1/3 FQPF10N60C, Транзистор, N-канал 600В 9.5А [TO-220F]](https://static.chipdip.ru/lib/412/DOC005412892.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/752/DOC043752493.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/728/DOC017728081.jpg)
250 руб.
от 15 шт. —
223 руб.
1 шт.
на сумму 250 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Описание MOSFET транзистор TO-220F
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 9.5 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.73 Ом/4.75А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 156 | |
Крутизна характеристики, S | 8 | |
Корпус | TO-220F | |
Пороговое напряжение на затворе | 2…4 | |
Вес, г | 2 |
Техническая документация
Datasheet FQPF10N60C
pdf, 475 КБ
Datasheet FQPF10N60C
pdf, 1351 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов