FQPF5N60C, Транзистор, QFET, N-канал, 600В, 4.5А [TO-220]
![Фото 1/2 FQPF5N60C, Транзистор, QFET, N-канал, 600В, 4.5А [TO-220]](https://static.chipdip.ru/lib/412/DOC005412892.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
200 руб.
от 15 шт. —
172 руб.
1 шт.
на сумму 200 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
MOSFET, N, TO-220F; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:4.5A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):2.5ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power Dissipation Pd:33W; Transistor Case Style:TO-220F; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:-; SVHC:Lead (27-Jun-2018); Current Id Max:4.5A; No. of Transistors:1; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Pulse Current Idm:18A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:600V; Voltage Vgs Max:30V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4.5 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 2.5 Ом/2.25А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 33 | |
| Корпус | TO-220F | |
| Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Datasheet FQPF5N60
pdf, 837 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
