FQPF6N90C, Транзистор N-CH 900V 6A [TO-220F]
![Фото 1/4 FQPF6N90C, Транзистор N-CH 900V 6A [TO-220F]](https://static.chipdip.ru/lib/652/DOC001652276.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/700/DOC021700575.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/744/DOC043744378.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/436/DOC004436575.jpg)
250 руб.
от 15 шт. —
216 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 250 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Fairchild Semiconductor’s new QFET® planar MOSFETs use advanced, proprietary technology to offer best-in-class operating performance for a wide range of applications, including power supplies, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Display Panels (PDP), lighting ballasts, and motion control.
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 900 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 6 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 2.3 Ом/3А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 47 | |
Крутизна характеристики, S | 5 | |
Корпус | TO-220F | |
Вес, г | 2 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов