FQT4N20LTF, Транзистор, QFET, N-канал, 200В, 0.8А [SOT-223]

Фото 1/4 FQT4N20LTF, Транзистор, QFET, N-канал, 200В, 0.8А [SOT-223]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
60 руб.
от 50 шт.52 руб.
1 шт. на сумму 60 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Посмотреть аналоги1
Номенклатурный номер: 9000267959
Артикул: FQT4N20LTF

Описание

Fairchild Semiconductor’s new QFET® planar MOSFETs use advanced, proprietary technology to offer best-in-class operating performance for a wide range of applications, including power supplies, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Display Panels (PDP), lighting ballasts, and motion control.

Технические параметры

Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 0.85
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 1.3 Ом/0.425, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 2.2
Корпус SOT-223
Вес, г 0.39

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 627 КБ
Документация
pdf, 835 КБ
Datasheet FQT4N20L
pdf, 743 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов