FS100R12PT4BOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Six Pack [Full Bridge], 100 А, 1.75 В, 500 Вт, 150 °C, Module
![FS100R12PT4BOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Six Pack [Full Bridge], 100 А, 1.75 В, 500 Вт, 150 °C, Module](https://static.chipdip.ru/lib/630/DOC035630026.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
46 940 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 46 940 руб.
Плати частями
от 11 735 руб. × 4 платежа
от 11 735 руб. × 4 платежа
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули
Технические параметры
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.75В |
Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
Continuous Collector Current | 100А |
DC Ток Коллектора | 100А |
Power Dissipation | 500Вт |
Выводы БТИЗ | Press Fit |
Конфигурация БТИЗ | Six Pack(Full Bridge) |
Линейка Продукции | EconoPACK 4 |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Максимальная Температура Перехода Tj | 150°C |
Монтаж транзистора | Panel |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.2кВ |
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.75В |
Рассеиваемая Мощность | 500Вт |
Стиль Корпуса Транзистора | Module |
Технология БТИЗ | IGBT 4(Trench/Field Stop) |
Вес, г | 400 |
Техническая документация
Datasheet FS100R12PT4BOSA1
pdf, 804 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов