FZ1200R12HE4HOSA2, IGBT MODULE, 1.2KV, 1.825KA, 7.15KW/STUD
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
156 600 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 156 600 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули
Технические параметры
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.75В |
| Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
| Continuous Collector Current | 1.825кА |
| DC Ток Коллектора | 1.825кА |
| Power Dissipation | 7.15кВт |
| Выводы БТИЗ | Stud |
| Конфигурация БТИЗ | Dual |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальная Температура Перехода Tj | 150°C |
| Монтаж транзистора | Panel |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.2кВ |
| Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.75В |
| Рассеиваемая Мощность | 7.15кВт |
| Стиль Корпуса Транзистора | Module |
| Технология БТИЗ | IGBT 4(Trench/Field Stop) |
| Вес, г | 250 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 603 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
