FZ1800R45HL4S7BPSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Single Switch, 1.8 кА, 2.15 В, 4000 кВт, 150 °C, Module
![FZ1800R45HL4S7BPSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Single Switch, 1.8 кА, 2.15 В, 4000 кВт, 150 °C, Module](https://static.chipdip.ru/lib/879/DOC036879697.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
927 700 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 927 700 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули
Технические параметры
Collector Emitter Saturation Voltage | 2.15В |
Collector Emitter Voltage Max | 4.5кВ |
Continuous Collector Current | 1.8кА |
DC Ток Коллектора | 1.8кА |
Power Dissipation | 4000кВт |
Выводы БТИЗ | Stud |
Конфигурация БТИЗ | Single Switch |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Максимальная Температура Перехода Tj | 150°C |
Монтаж транзистора | Panel |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 4.5кВ |
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 2.15В |
Рассеиваемая Мощность | 4000кВт |
Стиль Корпуса Транзистора | Module |
Технология БТИЗ | IGBT 4(Trench/Field Stop) |
Вес, г | 1 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов