FZ250R65KE3NPSA1, IGBT MODULE, 6.5KV, 250A, 4.8KW, STUD

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

285 300 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 285 300 руб.

Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа

Номенклатурный номер: 8009528297

Артикул: FZ250R65KE3NPSA1

Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули

Модуль IGBT Одиночный, 6500 В, 500 А, 4800 Вт, модуль для монтажа на шасси

Collector Emitter Saturation Voltage	3В
Collector Emitter Voltage Max	6.5кВ
Continuous Collector Current	250А
DC Ток Коллектора	250А
Power Dissipation	4.8кВт
Выводы БТИЗ	Stud
Конфигурация БТИЗ	Single
Максимальная Рабочая Температура	125°C
Максимальная Температура Перехода Tj	125°C
Монтаж транзистора	Panel
Напряжение Коллектор-Эмиттер	6.5кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)	3В
Рассеиваемая Мощность	4.8кВт
Стиль Корпуса Транзистора	Module
Технология БТИЗ	IGBT 3
Base Product Number	FZ250R65 ->
Configuration	Single
Current - Collector (Ic) (Max)	500A
Current - Collector Cutoff (Max)	5mA
ECCN	EAR99
HTSUS	8541.29.0095
Input	Standard
Input Capacitance (Cies) @ Vce	69nF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Chassis Mount
NTC Thermistor	No
Operating Temperature	-50В°C ~ 125В°C
Package	Tray
Package / Case	Module
Power - Max	4800W
REACH Status	REACH Unaffected
RoHS Status	RoHS non-compliant
Supplier Device Package	Module
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	3.4V @ 15V, 250A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	6500V
Maximum Collector Emitter Voltage	6500 V
Maximum Continuous Collector Current	250 A
Maximum Gate Emitter Voltage	±20V
Maximum Power Dissipation	1000 kW
Number of Transistors	3
Package Type	CTI
Pin Count	5
Вес, г	250