FZ400R12KS4HOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Single Switch, 510 А, 3.2 В, 2.5 кВт, 125 °C, Module
![FZ400R12KS4HOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Single Switch, 510 А, 3.2 В, 2.5 кВт, 125 °C, Module](https://static.chipdip.ru/lib/508/DOC004508956.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
36 560 руб.
от 5 шт. —
33 260 руб.
от 10 шт. —
29 960 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 36 560 руб.
Плати частями
от 9 140 руб. × 4 платежа
от 9 140 руб. × 4 платежа
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули
FZ400R12KS4, SP000100708
Технические параметры
Collector Emitter Saturation Voltage | 3.2В |
Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
Continuous Collector Current | 510А |
DC Ток Коллектора | 510А |
Power Dissipation | 2.5кВт |
Выводы БТИЗ | Tab |
Конфигурация БТИЗ | Single Switch |
Линейка Продукции | Standard 62mm C |
Максимальная Рабочая Температура | 125 C |
Максимальная Температура Перехода Tj | 125 C |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.2кВ |
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 3.2В |
Полярность Транзистора | N Канал |
Рассеиваемая Мощность | 2.5кВт |
Стиль Корпуса Транзистора | Module |
Технология БТИЗ | IGBT 2 Fast |
Вес, г | 3.37 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 138 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов