G3R160MT17D, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 21 А, 1.7 кВ, 0.16 Ом, TO-247
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1689 шт., срок 7-9 недель
3 120 руб.
от 5 шт. —
2 850 руб.
от 10 шт. —
2 630 руб.
1 шт.
на сумму 3 120 руб.
Плати частями
от 780 руб. × 4 платежа
от 780 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\МОП-Транзисторы и Модули на Основе Карбида Кремния (SiC)
Технические параметры
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.16Ом |
| Power Dissipation | 175Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Конфигурация МОП-транзистора | Single |
| Линейка Продукции | G3R |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 15В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 1.7кВ |
| Непрерывный Ток Стока | 21А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.7В |
| Рассеиваемая Мощность | 175Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.16Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
| Case | TO247-3 |
| Drain current | 15A |
| Drain-source voltage | 1.7kV |
| Gate charge | 21nC |
| Gate-source voltage | -5…15V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
| Mounting | THT |
| On-state resistance | 0.16Ω |
| Polarisation | unipolar |
| Pulsed drain current | 48A |
| Technology | G3R™, SiC |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Вес, г | 1.39 |
Техническая документация
Datasheet G3R160MT17D
pdf, 1071 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
