G3R30MT12K, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 90 А, 1.2 кВ, 0.03 Ом, TO-247

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

823 шт., срок 7-9 недель

6 120 руб.

от 5 шт. — 5 580 руб.

от 10 шт. — 5 250 руб.

1 шт. на сумму 6 120 руб.

Плати частями
от 1 530 руб. × 4 платежа

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8007344081

Артикул: G3R30MT12K

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\МОП-Транзисторы и Модули на Основе Карбида Кремния (SiC)

Channel Type	N Channel
Drain Source On State Resistance	0.03Ом
Power Dissipation	400Вт
Количество Выводов	4вывод(-ов)
Конфигурация МОП-транзистора	Single
Линейка Продукции	G3R
Максимальная Рабочая Температура	175°C
Напряжение Измерения Rds(on)	15В
Напряжение Истока-стока Vds	1.2кВ
Непрерывный Ток Стока	90А
Пороговое Напряжение Vgs	2.69В
Стиль Корпуса Транзистора	TO-247
Вес, г	1.39

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Мы рекомендуем