G3R350MT12D, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 11 А, 1.2 кВ, 0.35 Ом, TO-247

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

79 шт., срок 7-9 недель

1 220 руб.

Мин. кол-во для заказа 3 шт.

от 5 шт. — 1 120 руб.

от 10 шт. — 1 030 руб.

3 шт. на сумму 3 660 руб.

Плати частями
от 915 руб. × 4 платежа

Альтернативные предложения3

Номенклатурный номер: 8007329908

Артикул: G3R350MT12D

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\МОП-Транзисторы и Модули на Основе Карбида Кремния (SiC)

Vds:1.2Kv; No. Of Pins:3Pins; Rds(On) Test Voltage:15V; Power Dissipation:74W Rohs Compliant: Yes |Genesic Semiconductor G3R350MT12D

Channel Type	N Channel
Drain Source On State Resistance	0.35Ом
Power Dissipation	74Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Конфигурация МОП-транзистора	Single
Линейка Продукции	G3R
Максимальная Рабочая Температура	175°C
Напряжение Измерения Rds(on)	15В
Напряжение Истока-стока Vds	1.2кВ
Непрерывный Ток Стока	11А
Полярность Транзистора	N Канал
Пороговое Напряжение Vgs	2.69В
Рассеиваемая Мощность	74Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.35Ом
Стиль Корпуса Транзистора	TO-247
Вес, г	1.39