G3R40MT12K, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 71 А, 1.2 кВ, 0.04 Ом, TO-247
![Фото 1/2 G3R40MT12K, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 71 А, 1.2 кВ, 0.04 Ом, TO-247](https://static.chipdip.ru/lib/909/DOC007909105.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/450/DOC047450188.jpg)
551 шт., срок 7-9 недель
4 800 руб.
от 5 шт. —
4 360 руб.
от 10 шт. —
4 090 руб.
1 шт.
на сумму 4 800 руб.
Плати частями
от 1 200 руб. × 4 платежа
от 1 200 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\МОП-Транзисторы и Модули на Основе Карбида Кремния (SiC)
Технические параметры
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.04Ом |
Power Dissipation | 333Вт |
Количество Выводов | 4вывод(-ов) |
Конфигурация МОП-транзистора | Single |
Линейка Продукции | G3R |
Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
Напряжение Измерения Rds(on) | 15В |
Напряжение Истока-стока Vds | 1.2кВ |
Непрерывный Ток Стока | 71А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 2.69В |
Рассеиваемая Мощность | 333Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.04Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
Case | TO247-4 |
Drain current | 50A |
Drain-source voltage | 1.2kV |
Features of semiconductor devices | Kelvin terminal |
Gate charge | 106nC |
Gate-source voltage | -5…15V |
Kind of channel | enhanced |
Kind of package | tube |
Manufacturer | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Mounting | THT |
On-state resistance | 40mΩ |
Polarisation | unipolar |
Pulsed drain current | 140A |
Technology | G3R™, SiC |
Type of transistor | N-MOSFET |
Вес, г | 1.39 |
Техническая документация
Datasheet G3R40MT12K
pdf, 1084 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.