G3R75MT12D, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 41 А, 1.2 кВ, 0.075 Ом, TO-247
![Фото 1/2 G3R75MT12D, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 41 А, 1.2 кВ, 0.075 Ом, TO-247](https://static.chipdip.ru/lib/389/DOC035389276.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/431/DOC047431527.jpg)
1413 шт., срок 7-9 недель
2 680 руб.
от 5 шт. —
2 440 руб.
от 10 шт. —
2 240 руб.
1 шт.
на сумму 2 680 руб.
Плати частями
от 670 руб. × 4 платежа
от 670 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\МОП-Транзисторы и Модули на Основе Карбида Кремния (SiC)
Технические параметры
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.075Ом |
Power Dissipation | 207Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Конфигурация МОП-транзистора | Single |
Линейка Продукции | G3R |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Напряжение Измерения Rds(on) | 15В |
Напряжение Истока-стока Vds | 1.2кВ |
Непрерывный Ток Стока | 41А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 2.69В |
Рассеиваемая Мощность | 207Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.075Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
Case | TO247-3 |
Drain current | 29A |
Drain-source voltage | 1.2kV |
Gate charge | 54nC |
Gate-source voltage | -5…15V |
Kind of channel | enhanced |
Kind of package | tube |
Manufacturer | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Mounting | THT |
On-state resistance | 75mΩ |
Polarisation | unipolar |
Pulsed drain current | 80A |
Technology | G3R™, SiC |
Type of transistor | N-MOSFET |
Вес, г | 1.39 |
Техническая документация
Datasheet G3R75MT12D
pdf, 1133 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.