GD100FFX170C6S, БТИЗ массив и модульный транзистор, Three Phase Full Bridge, 168 А, 1.85 В, 632 Вт, 150 °C

GD100FFX170C6S, БТИЗ массив и модульный транзистор, Three Phase Full Bridge, 168 А, 1.85 В, 632 Вт, 150 °C
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
10 шт., срок 7-9 недель
Бесплатная доставка 5Post, СДЭК и Я.Доставка
36 270 руб.
от 5 шт.33 890 руб.
от 10 шт.31 560 руб.
1 шт. на сумму 36 270 руб.
Плати частями
от 9 069 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8007248970
Артикул: GD100FFX170C6S
Бренд: STARPOWER

Описание

Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули

Технические параметры

Collector Emitter Saturation Voltage 1.85В
Collector Emitter Voltage Max 1.7кВ
Continuous Collector Current 168А
DC Ток Коллектора 168А
Power Dissipation 632Вт
Выводы БТИЗ Press Fit
Конфигурация БТИЗ Three Phase Full Bridge
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Максимальная Температура Перехода Tj 150°C
Монтаж транзистора Panel
Напряжение Коллектор-Эмиттер 1.7кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) 1.85В
Рассеиваемая Мощность 632Вт
Стиль Корпуса Транзистора Module
Технология БТИЗ Trench Field Stop
Вес, г 300

Техническая документация

Datasheet GD100FFX170C6S
pdf, 204 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.