GD100FFX170C6S, БТИЗ массив и модульный транзистор, Three Phase Full Bridge, 168 А, 1.85 В, 632 Вт, 150 °C
![GD100FFX170C6S, БТИЗ массив и модульный транзистор, Three Phase Full Bridge, 168 А, 1.85 В, 632 Вт, 150 °C](https://static.chipdip.ru/lib/137/DOC035137827.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
10 шт., срок 7-9 недель
Бесплатная доставка 5Post, СДЭК и Я.Доставка
36 270 руб.
от 5 шт. —
33 890 руб.
от 10 шт. —
31 560 руб.
1 шт.
на сумму 36 270 руб.
Плати частями
от 9 069 руб. × 4 платежа
от 9 069 руб. × 4 платежа
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули
Технические параметры
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.85В |
Collector Emitter Voltage Max | 1.7кВ |
Continuous Collector Current | 168А |
DC Ток Коллектора | 168А |
Power Dissipation | 632Вт |
Выводы БТИЗ | Press Fit |
Конфигурация БТИЗ | Three Phase Full Bridge |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Максимальная Температура Перехода Tj | 150°C |
Монтаж транзистора | Panel |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.7кВ |
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.85В |
Рассеиваемая Мощность | 632Вт |
Стиль Корпуса Транзистора | Module |
Технология БТИЗ | Trench Field Stop |
Вес, г | 300 |
Техническая документация
Datasheet GD100FFX170C6S
pdf, 204 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.