GD100FFX65C5S, БТИЗ массив и модульный транзистор, Three Phase Full Bridge, 130 А, 1.45 В, 331 Вт, 150 °C
![GD100FFX65C5S, БТИЗ массив и модульный транзистор, Three Phase Full Bridge, 130 А, 1.45 В, 331 Вт, 150 °C](https://static.chipdip.ru/lib/066/DOC035066914.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
12 шт., срок 7-9 недель
Бесплатная доставка 5Post, СДЭК и Я.Доставка
21 530 руб.
от 5 шт. —
20 110 руб.
от 10 шт. —
18 730 руб.
1 шт.
на сумму 21 530 руб.
Плати частями
от 5 384 руб. × 4 платежа
от 5 384 руб. × 4 платежа
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули
Технические параметры
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.45В |
Collector Emitter Voltage Max | 650В |
Continuous Collector Current | 130А |
DC Ток Коллектора | 130А |
Power Dissipation | 331Вт |
Выводы БТИЗ | Press Fit |
Конфигурация БТИЗ | Three Phase Full Bridge |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Максимальная Температура Перехода Tj | 150°C |
Монтаж транзистора | Panel |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 650В |
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.45В |
Рассеиваемая Мощность | 331Вт |
Стиль Корпуса Транзистора | Module |
Технология БТИЗ | Trench Field Stop |
Вес, г | 150 |
Техническая документация
Datasheet GD100FFX65C5S
pdf, 239 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.