GD100FFY120C6S, TRANSISTOR, IGBT MODULE, 1.2KV, 155A

GD100FFY120C6S, TRANSISTOR, IGBT MODULE, 1.2KV, 155A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
10 шт., срок 7-9 недель
Бесплатная доставка 5Post, СДЭК и Я.Доставка
26 360 руб.
от 5 шт.21 480 руб.
от 10 шт.18 790 руб.
1 шт. на сумму 26 360 руб.
Плати частями
от 6 590 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8009492133
Артикул: GD100FFY120C6S
Бренд: STARPOWER

Описание

Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули

Технические параметры

Collector Emitter Saturation Voltage 1.7В
Collector Emitter Voltage Max 1.2кВ
Continuous Collector Current 155А
DC Ток Коллектора 155А
Power Dissipation 511Вт
Выводы БТИЗ Press Fit
Конфигурация БТИЗ Three Phase Full Bridge
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Максимальная Температура Перехода Tj 150°C
Монтаж транзистора Panel
Напряжение Коллектор-Эмиттер 1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) 1.7В
Рассеиваемая Мощность 511Вт
Стиль Корпуса Транзистора Module
Технология БТИЗ Trench Field Stop
Вес, г 150

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.