GD100HFU120C2S, IGBT MODULE, 1.2KV, 200A
![GD100HFU120C2S, IGBT MODULE, 1.2KV, 200A](https://static.chipdip.ru/lib/644/DOC043644590.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
72 шт., срок 7-9 недель
16 290 руб.
от 5 шт. —
15 120 руб.
от 10 шт. —
14 900 руб.
1 шт.
на сумму 16 290 руб.
Плати частями
от 4 074 руб. × 4 платежа
от 4 074 руб. × 4 платежа
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули
Технические параметры
Collector Emitter Saturation Voltage | 3.1В |
Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
Continuous Collector Current | 200А |
DC Ток Коллектора | 200А |
Power Dissipation | 1.136кВт |
Выводы БТИЗ | Stud |
Конфигурация БТИЗ | Half Bridge |
Линейка Продукции | PW Series |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Максимальная Температура Перехода Tj | 150°C |
Монтаж транзистора | Panel |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.2кВ |
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 3.1В |
Рассеиваемая Мощность | 1.136кВт |
Стиль Корпуса Транзистора | Module |
Технология БТИЗ | NPT IGBT(Standard) |
Вес, г | 300 |
Техническая документация
Datasheet GD100HFU120C1S
pdf, 227 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.