GD100HFU120C8S, IGBT MODULE, 1.2KV, 154A

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

44 шт., срок 7-9 недель

12 410 руб.

от 5 шт. — 12 120 руб.

от 10 шт. — 11 360 руб.

1 шт. на сумму 12 410 руб.

Плати частями
от 3 104 руб. × 4 платежа

Номенклатурный номер: 8012538209

Артикул: GD100HFU120C8S

Бренд: STARPOWER

Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули

Collector Emitter Saturation Voltage	2.9В
Collector Emitter Voltage Max	1.2кВ
Continuous Collector Current	154А
DC Ток Коллектора	154А
Power Dissipation	791Вт
Выводы БТИЗ	Stud
Конфигурация БТИЗ	Half Bridge
Линейка Продукции	PW Series
Максимальная Рабочая Температура	125°C
Максимальная Температура Перехода Tj	125°C
Монтаж транзистора	Panel
Напряжение Коллектор-Эмиттер	1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)	2.9В
Рассеиваемая Мощность	791Вт
Стиль Корпуса Транзистора	Module
Технология БТИЗ	NPT IGBT(Standard)
Вес, г	200

pdf, 184 КБ

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.