GD100HHU120C6S, БТИЗ массив и модульный транзистор, H Bridge, 160 А, 3.1 В, 638 Вт, 125 °C, Module
![GD100HHU120C6S, БТИЗ массив и модульный транзистор, H Bridge, 160 А, 3.1 В, 638 Вт, 125 °C, Module](https://static.chipdip.ru/lib/066/DOC035066933.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
10 шт., срок 7-9 недель
Бесплатная доставка 5Post, СДЭК и Я.Доставка
23 450 руб.
от 5 шт. —
21 990 руб.
от 10 шт. —
20 550 руб.
1 шт.
на сумму 23 450 руб.
Плати частями
от 5 864 руб. × 4 платежа
от 5 864 руб. × 4 платежа
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули
Технические параметры
Collector Emitter Saturation Voltage | 3.1В |
Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
Continuous Collector Current | 160А |
DC Ток Коллектора | 160А |
Power Dissipation | 638Вт |
Выводы БТИЗ | Press Fit |
Конфигурация БТИЗ | H Bridge |
Максимальная Рабочая Температура | 125°C |
Максимальная Температура Перехода Tj | 125°C |
Монтаж транзистора | Panel |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.2кВ |
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 3.1В |
Рассеиваемая Мощность | 638Вт |
Стиль Корпуса Транзистора | Module |
Технология БТИЗ | NPT Ultra Fast IGBT |
Вес, кг | 1.21 |
Техническая документация
Datasheet GD100HHU120C6S
pdf, 261 КБ
Дополнительная информация
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.