GD100PIX65C6S, БТИЗ массив и модульный транзистор, PIM Three Phase Input Rectifier, 130 А, 1.45 В, 331 Вт

GD100PIX65C6S, БТИЗ массив и модульный транзистор, PIM Three Phase Input Rectifier, 130 А, 1.45 В, 331 Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
10 шт., срок 7-9 недель
Бесплатная доставка 5Post, СДЭК и Я.Доставка
25 790 руб.
от 5 шт.24 100 руб.
от 10 шт.22 440 руб.
1 шт. на сумму 25 790 руб.
Плати частями
от 6 449 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8006835279
Артикул: GD100PIX65C6S
Бренд: STARPOWER

Описание

Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули

Технические параметры

Collector Emitter Saturation Voltage 1.45В
Collector Emitter Voltage Max 650В
Continuous Collector Current 130А
DC Ток Коллектора 130А
Power Dissipation 331Вт
Выводы БТИЗ Press Fit
Конфигурация БТИЗ PIM Three Phase Input Rectifier
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Максимальная Температура Перехода Tj 150°C
Монтаж транзистора Panel
Напряжение Коллектор-Эмиттер 650В
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) 1.45В
Рассеиваемая Мощность 331Вт
Стиль Корпуса Транзистора Module
Технология БТИЗ Trench Field Stop
Вес, г 300

Техническая документация

Datasheet GD100PIX65C6S
pdf, 338 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.