GD100SGY120D6S, БТИЗ массив и модульный транзистор, 155 А, 1.7 В, 500 Вт, 150 °C, Module

GD100SGY120D6S, БТИЗ массив и модульный транзистор, 155 А, 1.7 В, 500 Вт, 150 °C, Module
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
4 шт., срок 7-9 недель
5 270 руб.
1 шт. на сумму 5 270 руб.
Плати частями
от 1 319 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8009220425
Артикул: GD100SGY120D6S
Бренд: STARPOWER

Описание

Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули

Технические параметры

Collector Emitter Saturation Voltage 1.7В
Collector Emitter Voltage Max 1.2кВ
Continuous Collector Current 155А
DC Ток Коллектора 155А
Power Dissipation 500Вт
Выводы БТИЗ Stud
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Максимальная Температура Перехода Tj 150°C
Монтаж транзистора Panel
Напряжение Коллектор-Эмиттер 1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) 1.7В
Рассеиваемая Мощность 500Вт
Стиль Корпуса Транзистора Module
Технология БТИЗ Trench
Вес, г 152.9

Техническая документация

Datasheet GD100SGY120D6S
pdf, 413 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.