GD100SGY120D6S, БТИЗ массив и модульный транзистор, 155 А, 1.7 В, 500 Вт, 150 °C, Module
![GD100SGY120D6S, БТИЗ массив и модульный транзистор, 155 А, 1.7 В, 500 Вт, 150 °C, Module](https://static.chipdip.ru/lib/038/DOC043038698.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4 шт., срок 7-9 недель
5 270 руб.
1 шт.
на сумму 5 270 руб.
Плати частями
от 1 319 руб. × 4 платежа
от 1 319 руб. × 4 платежа
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули
Технические параметры
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.7В |
Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
Continuous Collector Current | 155А |
DC Ток Коллектора | 155А |
Power Dissipation | 500Вт |
Выводы БТИЗ | Stud |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Максимальная Температура Перехода Tj | 150°C |
Монтаж транзистора | Panel |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.2кВ |
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.7В |
Рассеиваемая Мощность | 500Вт |
Стиль Корпуса Транзистора | Module |
Технология БТИЗ | Trench |
Вес, г | 152.9 |
Техническая документация
Datasheet GD100SGY120D6S
pdf, 413 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.