GD1200HFY120C3S, IGBT MODULE, 1.2KV, 2.23KA

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

8 шт., срок 7-9 недель

Бесплатная доставка 5Post, СДЭК и Я.Доставка

96 090 руб.

от 5 шт. — 89 290 руб.

1 шт. на сумму 96 090 руб.

Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа

Номенклатурный номер: 8012538224

Артикул: GD1200HFY120C3S

Бренд: STARPOWER

Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули

Collector Emitter Saturation Voltage	1.7В
Collector Emitter Voltage Max	1.2кВ
Continuous Collector Current	2.23кА
DC Ток Коллектора	2.23кА
Power Dissipation	8.196кВт
Выводы БТИЗ	Stud
Конфигурация БТИЗ	Half Bridge
Линейка Продукции	PW Series
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Максимальная Температура Перехода Tj	150°C
Монтаж транзистора	Panel
Напряжение Коллектор-Эмиттер	1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)	1.7В
Рассеиваемая Мощность	8.196кВт
Стиль Корпуса Транзистора	Module
Технология БТИЗ	Trench

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.