GD1400HFX170P2S, БТИЗ массив и модульный транзистор, Half Bridge, 2.342 кА, 1.95 В, 9.37 кВт, 150 °C, Module

GD1400HFX170P2S, БТИЗ массив и модульный транзистор, Half Bridge, 2.342 кА, 1.95 В, 9.37 кВт, 150 °C, Module
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
6 шт., срок 7-9 недель
Бесплатная доставка 5Post, СДЭК и Я.Доставка
138 700 руб.
1 шт. на сумму 138 700 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8006492171
Артикул: GD1400HFX170P2S
Бренд: STARPOWER

Описание

Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули

Технические параметры

Collector Emitter Saturation Voltage 1.95В
Collector Emitter Voltage Max 1.7кВ
Continuous Collector Current 2.342кА
DC Ток Коллектора 2.342кА
Power Dissipation 9.37кВт
Выводы БТИЗ Stud
Конфигурация БТИЗ Half Bridge
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Максимальная Температура Перехода Tj 150°C
Монтаж транзистора Panel
Напряжение Коллектор-Эмиттер 1.7кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) 1.95В
Рассеиваемая Мощность 9.37кВт
Стиль Корпуса Транзистора Module
Технология БТИЗ Trench Field Stop
Вес, г 300

Техническая документация

Datasheet GD1400HFX170P2S
pdf, 192 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.