GD150FFX65C6S, БТИЗ массив и модульный транзистор, Three Phase Full Bridge, 181 А, 1.45 В, 442 Вт, 150 °C

GD150FFX65C6S, БТИЗ массив и модульный транзистор, Three Phase Full Bridge, 181 А, 1.45 В, 442 Вт, 150 °C
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
10 шт., срок 7-9 недель
Бесплатная доставка 5Post, СДЭК и Я.Доставка
24 290 руб.
от 5 шт.22 690 руб.
от 10 шт.21 140 руб.
1 шт. на сумму 24 290 руб.
Плати частями
от 6 074 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8007248972
Артикул: GD150FFX65C6S
Бренд: STARPOWER

Описание

Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули

Технические параметры

Collector Emitter Saturation Voltage 1.45В
Collector Emitter Voltage Max 650В
Continuous Collector Current 181А
DC Ток Коллектора 181А
Power Dissipation 442Вт
Выводы БТИЗ Press Fit
Конфигурация БТИЗ Three Phase Full Bridge
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Максимальная Температура Перехода Tj 150°C
Монтаж транзистора Panel
Напряжение Коллектор-Эмиттер 650В
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) 1.45В
Рассеиваемая Мощность 442Вт
Стиль Корпуса Транзистора Module
Технология БТИЗ Trench Field Stop
Вес, г 300

Техническая документация

Datasheet GD150FFX65C6S
pdf, 217 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.