GD15PJX65F1S, IGBT MODULE, 650V, 20A, 95W
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
25 шт., срок 7-9 недель
6 980 руб.
от 5 шт. —
6 660 руб.
от 10 шт. —
6 240 руб.
1 шт.
на сумму 6 980 руб.
Плати частями
от 1 745 руб. × 4 платежа
от 1 745 руб. × 4 платежа
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули
Технические параметры
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.45В |
Collector Emitter Voltage Max | 650В |
Continuous Collector Current | 20А |
Power Dissipation | 95Вт |
Выводы БТИЗ | Solder |
Конфигурация БТИЗ | PIM Three Phase Input Rectifier |
Линейка Продукции | PW Series |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Module |
Стиль Корпуса Транзистора | Module |
Технология БТИЗ | Trench Field Stop |
Вес, г | 30 |
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.