GD200HFX65C8S, БТИЗ массив и модульный транзистор, Half Bridge, 247 А, 1.45 В, 612 Вт, 150 °C, Module

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

9 шт., срок 7-9 недель

13 020 руб.

от 5 шт. — 12 040 руб.

1 шт. на сумму 13 020 руб.

Плати частями
от 3 255 руб. × 4 платежа

Номенклатурный номер: 8006492172

Артикул: GD200HFX65C8S

Бренд: STARPOWER

Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули

Collector Emitter Saturation Voltage	1.45В
Collector Emitter Voltage Max	650В
Continuous Collector Current	247А
DC Ток Коллектора	247А
Power Dissipation	612Вт
Выводы БТИЗ	Stud
Конфигурация БТИЗ	Half Bridge
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Максимальная Температура Перехода Tj	150°C
Монтаж транзистора	Panel
Напряжение Коллектор-Эмиттер	650В
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)	1.45В
Рассеиваемая Мощность	612Вт
Стиль Корпуса Транзистора	Module
Технология БТИЗ	Trench Field Stop
Вес, г	300