GD25PJY120F5S, IGBT MODULE, 1.2KV, 49A, 188W
![GD25PJY120F5S, IGBT MODULE, 1.2KV, 49A, 188W](https://static.chipdip.ru/lib/725/DOC044725591.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
25 шт., срок 7-9 недель
10 180 руб.
от 5 шт. —
9 710 руб.
от 10 шт. —
9 100 руб.
1 шт.
на сумму 10 180 руб.
Плати частями
от 2 545 руб. × 4 платежа
от 2 545 руб. × 4 платежа
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули
Технические параметры
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.7В |
Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
Continuous Collector Current | 49А |
Power Dissipation | 188Вт |
Выводы БТИЗ | Solder |
Конфигурация БТИЗ | PIM Three Phase Input Rectifier |
Линейка Продукции | PW Series |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Module |
Стиль Корпуса Транзистора | Module |
Технология БТИЗ | Trench Field Stop |
Вес, г | 42 |
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.