GD300HFX170C2S, БТИЗ массив и модульный транзистор, Half Bridge, 493 А, 1.85 В, 1.829 кВт, 150 °C, Module

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

11 шт., срок 7-9 недель

Бесплатная доставка 5Post, СДЭК и Я.Доставка

30 780 руб.

от 5 шт. — 28 860 руб.

от 10 шт. — 26 970 руб.

1 шт. на сумму 30 780 руб.

Плати частями
от 7 695 руб. × 4 платежа

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8007248974

Артикул: GD300HFX170C2S

Бренд: STARPOWER

Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули

IGBT модуль 1700B 300А 2 in one-package 62мм

Collector Emitter Saturation Voltage	1.85В
Collector Emitter Voltage Max	1.7кВ
Continuous Collector Current	493А
DC Ток Коллектора	493А
Power Dissipation	1.829кВт
Выводы БТИЗ	Stud
Конфигурация БТИЗ	Half Bridge
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Максимальная Температура Перехода Tj	150°C
Монтаж транзистора	Panel
Напряжение Коллектор-Эмиттер	1.7кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)	1.85В
Рассеиваемая Мощность	1.829кВт
Стиль Корпуса Транзистора	Module
Технология БТИЗ	Trench Field Stop
Вес, г	910