GD300HFX65C6S, IGBT MODULE, 650V, 343A
![GD300HFX65C6S, IGBT MODULE, 650V, 343A](https://static.chipdip.ru/lib/645/DOC043645129.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4 шт., срок 7-9 недель
Бесплатная доставка 5Post, СДЭК и Я.Доставка
20 910 руб.
1 шт.
на сумму 20 910 руб.
Плати частями
от 5 229 руб. × 4 платежа
от 5 229 руб. × 4 платежа
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули
Технические параметры
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.45В |
Collector Emitter Voltage Max | 650В |
Continuous Collector Current | 343А |
DC Ток Коллектора | 343А |
Power Dissipation | 819Вт |
Выводы БТИЗ | Press Fit |
Конфигурация БТИЗ | Half Bridge |
Линейка Продукции | PW Series |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Максимальная Температура Перехода Tj | 150°C |
Монтаж транзистора | Panel |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 650В |
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.45В |
Рассеиваемая Мощность | 819Вт |
Стиль Корпуса Транзистора | Module |
Технология БТИЗ | Trench |
Вес, г | 200 |
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.