GD300SGY120C2S, IGBT MODULE, 1.2KV, 600A
![GD300SGY120C2S, IGBT MODULE, 1.2KV, 600A](https://static.chipdip.ru/lib/599/DOC043599224.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 шт., срок 7-9 недель
16 980 руб.
1 шт.
на сумму 16 980 руб.
Плати частями
от 4 245 руб. × 4 платежа
от 4 245 руб. × 4 платежа
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули
Технические параметры
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.7В |
Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
Continuous Collector Current | 600А |
DC Ток Коллектора | 600А |
Power Dissipation | 2.941кВт |
Выводы БТИЗ | Stud |
Конфигурация БТИЗ | Single |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Максимальная Температура Перехода Tj | 150°C |
Монтаж транзистора | Panel |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.2кВ |
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.7В |
Рассеиваемая Мощность | 2.941кВт |
Стиль Корпуса Транзистора | Module |
Технология БТИЗ | Trench |
Вес, г | 152.9 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.