GD400SGY120C2S, IGBT MODULE, 1.2KV, 630A
![GD400SGY120C2S, IGBT MODULE, 1.2KV, 630A](https://static.chipdip.ru/lib/645/DOC043645087.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 шт., срок 7-9 недель
18 070 руб.
1 шт.
на сумму 18 070 руб.
Плати частями
от 4 519 руб. × 4 платежа
от 4 519 руб. × 4 платежа
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули
Технические параметры
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.65В |
Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
Continuous Collector Current | 630А |
DC Ток Коллектора | 630А |
Power Dissipation | 2.083кВт |
Выводы БТИЗ | Stud |
Конфигурация БТИЗ | Single |
Линейка Продукции | PW Series |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Максимальная Температура Перехода Tj | 150°C |
Монтаж транзистора | Panel |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.2кВ |
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.65В |
Рассеиваемая Мощность | 2.083кВт |
Стиль Корпуса Транзистора | Module |
Технология БТИЗ | Trench |
Вес, г | 300 |
Дополнительная информация
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.